Contrôle de l'uniformité de la modélisation en lithographie à résiste épais

Les architectures de dispositifs chiplet tridimensionnels devraient offrir de meilleures performances, efficacité et empreinte par rapport à ce que les technologies de mise à l'échelle en deux dimensions peuvent fournir. La lithographie à résiste épais pour les résistances damascènes et de placage, ainsi que pour les matériaux diélectriques organiques, joue un rôle crucial dans l'intégration des chiplets. Cependant, la lithographie à résiste épais nécessite des solutions de résistes visqueux, des outils spécialisés et de longs temps de traitement. Cela rend la modélisation avec ces résistes intrinsèquement sujette à des problèmes d'uniformité, ce qui est devenu un enjeu crucial pour la mise à l'échelle. Ce travail met en évidence deux domaines stratégiques de développement de la modélisation à résiste épais : des méthodes de revêtement de résiste améliorées ; et un contrôle de mise au point renforcé lors de l'exposition. Ici, nous montrons une méthode basée sur un rail pour un contrôle d'uniformité soigneusement contrôlé de l'épaisseur de revêtement de résiste, avec une certaine perte de débit. De plus, nous montrons des méthodes de mise au point basées sur un stepper pour tenir compte des variations au niveau des chiplets dans l'épaisseur du résiste et du wafer, ainsi que de la topographie locale. Ensemble, cela offre un contrôle précis des dimensions du résiste épais à l'échelle du wafer.