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La mobilité de dérive des trous dans le silicium de type n et des électrons dans le silicium de type p a été mesurée en fonction de la concentration d'impuretés et de la température. Dans les cristaux uniques ayant une résistivité supérieure à 10 ohm-centimètre, la mobilité à 300^ des trous est =50050 cm^2/volt-sec et celle des électrons est ₍=1200100 cm^2/volt-sec. Pour ce matériau à haute résistivité, la dépendance en température de la mobilité dans les mêmes unités est ₍=5. 510^6T^-1. 5 et =2. 410^8T^-2. 3.
M. B. Prince (Mon,) a étudié cette question.