77 Kで成長した大気中金属有機化学蒸着法による黄緑色発光AlGaInP二重ヘテロ構造レーザーダイオード

77 KでのAl0.37Ga0.15In0.48P/Al0.16Ga0.36In0.48P/Al0.37Ga0.15In0.48P二重ヘテロ構造レーザーダイオードの黄緑色発光パルスレーザー動作が得られた。エミッション波長は579 nmだった。しきい値電流密度は、Si3N4絶縁の8 μm幅および250 μm長のストライプ幾何学を持つダイオードで5.6 kA/cm2であった。このデバイスは、三エチル金属とリン化水素を原料とする従来の金属有機化学蒸着法で成長したDHウェハーから作成された。