. ビアホール相互接続と組み合わせて、インバータモジュール(層1-2)と動的ランダムアクセスメモリ(DRAM)コンポーネント(層3-4)を備えた機能的なメモリ内計算3D回路を実証しました。この研究は、将来の高度な3D回路における酸化物半導体の応用を進展させます。
Pan et al. (金曜日) がこの問題を研究しました。
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