Untersuchung des Effekts von Polierer-Kopf und Schlämme-Wischbewegung beim Polieren von Oxidfilmen

Die chemisch-mechanische Politur (CMP) hat rasante Fortschritte in der globalen und lokalen Planarisierung gemacht. Die Synergie zwischen Prozesskontrolle und Verbrauchsmaterialien ist entscheidend für die Gesamtleistung der CMP. Neben der Optimierung von Verbrauchsmaterialien und Geräten, einschließlich eines Polishers, Metrologie und Inspektion, spielt das Polierprotokoll eine entscheidende Rolle im effektiven Prozessmanagement. In Fertigungsszenarien ist die Protokollrevision ein bequemer und praktischer Ansatz zur Problemlösung. Diese Forschung konzentriert sich auf die Untersuchung der Sweeping-Richtung des Kopfes, der Sweep-Distanz des Kopfes und der Effekte der Schlämme-Wischbewegung beim Polieren von Oxidfilmen. Das Wischen nach außen führte im Vergleich zum Fixkopfpolieren zu einem durchschnittlichen Anstieg der Abtragsmenge um 12,66 % bei Cerium und 11,57 % bei Silica. Darüber hinaus reduzierte eine längere Sweep-Distanz des Kopfes die Nicht-Uniformität. Während der Schlämme-Wischbewegung keinen signifikanten Effekt auf die Abtragsmenge zeigte, erwies sie sich als wertvoll für die Optimierung des Profils der Abtragsmenge.