AlN膜のMNVPE中のアニールとV/III比の関係

高品質の窒化アルミニウム（AlN）膜は、優れたUVオプトエレクトロニクスデバイスの準備の鍵であると考えられています。本論文では、金属窒化物蒸気相エピタキシー（MNVPE）と対面アニールを組み合わせ、異なるV/III比を持つAlN膜の結晶品質、内部応力、光学特性の変化を理論的説明とともに高温アニール後に研究しました。膜の品質を特性づけるためにX線回折が使用されました。AlN膜の最高品質はV/III = 4420で見つかりました。1675 °Cで1時間アニールした後、AlN膜の品質は大幅に改善され、V/III = 4420のAlN膜がアニール後も最高品質を持ち、（002）ロッキング曲線の全幅半最大は521アーク秒でした。走査型電子顕微鏡検査と組み合わせると、高温アニールはAlN膜の粒成長を促進し、粒界の減少を促進しました。ラマン分光試験の結果によれば、アニールされたAlN膜の内部応力は解放されました。UV-可視分光法の結果は、アニールが膜の透過率とバンドギャップを改善したことを示しており、これによりAlN膜の光学特性が最適化されました。この研究は膜品質を改善するためのアニールのメカニズムを豊かにし、MNVPEのV/III比パラメータと高温アニールの関係を探求しており、高品質のAlN膜を準備する上で非常に重要です.