Ultraschnelle Schaltmemristoren auf Basis von zweidimensionalen Materialien

Zusammenfassung Die Fähigkeit, die Dicke von zweidimensionalen (2D) Materialien auf eine einzelne Monoschicht zu skalieren, bietet eine vielversprechende Gelegenheit, energieeffiziente Memristoren mit hoher Geschwindigkeit zu realisieren. Hier berichten wir über einen ultraschnellen Memristor, der aus atomar dünnen Schichten von 2D hexagonalem Bornitrid gefertigt wurde und die kürzeste beobachtete Schaltgeschwindigkeit (120 ps) unter 2D-Memristoren sowie eine niedrige Schaltenergie (2pJ) aufweist. Darüber hinaus untersuchen wir die Schalt dynamik dieser Memristoren mit ultraschnellen (120ps-3ns) Spannungspuls, einem Frequenzbereich, der im Kontext moderner CMOS-Schaltungen von großer Bedeutung ist. Wir verwenden statistische Analysen transienter Eigenschaften, um Einblicke in den Schaltmechanismus des Memristors zu gewinnen. Die Daten zur Zyklenbeständigkeit bestätigen die ultraschnelle Schaltfähigkeit dieser Memristoren, was sie für die nächste Generation von Computern, Speichern und Anwendungen in Hochfrequenzschaltungen (RF) attraktiv macht.