Ingeniería de detectores de silicio con alta eficiencia cuántica para electrones de baja energía

Numerosos sistemas de metrología de precisión para detectar quanta de cualquier tipo se basan en detectores de silicio. Un ejemplo son los detectores de silicio utilizados en microscopios electrónicos de barrido (SEM) para la detección de electrones. La necesidad de investigar objetos en la superficie muy cercana, como por ejemplo células en biología, impulsa el progreso científico de estos detectores de silicio. Para estudiar regiones cercanas a la superficie de, por ejemplo, objetos biológicos, son necesarios electrones con energías bajas alrededor de 500 eV. Desafortunadamente, la eficiencia cuántica para electrones de tan baja energía de los detectores de electrones de última generación es baja o incluso inexistente. En esta contribución se presenta el desarrollo de detectores de electrones de silicio con grandes eficiencias cuánticas de más del 55% para electrones con una energía de 500 eV. Se discutirán y analizarán los pasos cruciales en el desarrollo, como la delgada ventana de entrada y una unión muy superficial, mediante simulación y experimentos como las mediciones de espectrometría de masas de iones secundarios (SIMS) en CiS.