Abstimmen flacher Bänder durch Interlagenwechselwirkung, Spin-Bahn-Kopplung und externe Felder in verdrehten Homotrischschichten MoS2

Ultraflache Bänder wurden bereits in verdrehten Bilayer-Graphen und verdrehten Bilayer-Übergangsmetall-Dichalkogeniden nachgewiesen, die eine Plattform bieten, um starke Korrelationen zu untersuchen. In diesem Papier werden die elektronischen Eigenschaften von verdrehten Trischichten-Molybdändisulfid (TTM) über einen genauen Tight-Binding-Hamiltonian untersucht. Wir stellen fest, dass die höchsten Valenzbänder vom -Punkt der zugrunde liegenden Monoschicht abgeleitet sind und eine graphenähnliche Dispersion aufweisen oder isolierte flache Bänder werden, die von den Ausgangs-Stapelanordnungen abhängen. Die Gitterentspannung, lokale Deformation und externe Felder können die elektronischen Strukturen von TTM erheblich abstimmen. Nach der Einführung des Spin-Bahn-Kopplungseffekts finden wir einen Spin-Valley-Layer-Verriegelungseffekt im Minimum des Leitungsbandes am K- und K^'-Punkt der Brillouin-Zone, der eine Plattform bieten könnte, um optische Eigenschaften und magnetoelektrische Effekte zu studieren.