Spin-polarisierte Elektronensources finden Anwendung in der Hochenergie- und Kernphysik. Wir beschreiben im Detail das Design und die Charakterisierung verschiedener Photokathoden, die auf GaAs/GaAsP-Supergitterstrukturen basieren. Diese Strukturen werden mit einem Distributed Bragg Reflector (DBR) hergestellt, um eine hohe Quanteneffizienz (QE) von ~ 20 % sowie eine hohe Elektronenspinpolarisation (ESP) von ~ 85 % bei der gewünschten Wellenlänge von 780 nm zu erreichen. Wir präsentieren die QE- und ESP-Messungen von fotoemittierten Elektronen in Abhängigkeit von der Wellenlänge des einfallenden Lichts sowie morphologische und Photolumineszenzmessungen.
Saha et al. (Thu,) haben diese Frage untersucht.