Wir berichten über eine detaillierte Untersuchung der niederfrequenten Widerstandsfluktuationen (1/f-Rauschen) in chemisch gasphasenabgelagertem (CVD) Graphen. Systematische Messungen zeigen, dass die Magnitude des 1/f-Rauschens in CVD-gewachsenem Graphen um mehrere Größenordnungen höher ist als die typischerweise bei exfoliertem Einkristall-Graphen beobachtete. Diese Verstärkung wird strukturellen Imperfektionen wie Korngrenzen und Defektzuständen innerhalb des polykristallinen Films zugeschrieben. Eine detaillierte Analyse der Temperaturabhängigkeit des Rauschens zeigt, dass die Widerstandsfluktuationen aus thermisch aktivierten Dynamiken lokalisierter Defekte resultieren. Diese Ergebnisse bieten wichtige Einblicke in den mikroskopischen Mechanismus des Rauschens in skalierbaren Graphenfilmen und heben die Rolle des Defingenierings bei der Optimierung von Graphen für großflächige elektronische Anwendungen hervor. Unsere Ergebnisse etablieren Niederfrequenzrauschen als empfindliche Probe für mikroskopische Unordnung in CVD-Graphen und bieten einen praktischen Weg zur Bewertung der Materialqualität in skalierbaren elektronischen Technologien.
Nayak et al. (Mon,) haben diese Frage untersucht.