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Fotodetetores que economizam energia são os componentes-chave em futuros sistemas fotônicos. Particularmente, fotodetetores do tipo fotoeletroquímico autossuficientes (PEC-PDs), que se afastam completamente do dispositivo de junção clássica de estado sólido, ultimamente têm despertado intenso interesse para atender à fotodetecção independente de energia e sensível ao ambiente da próxima geração. Neste estudo, construímos, pela primeira vez, PEC PDs cegos ao sol baseados em nanostruturas de AlGaN auto-organizadas em silício. Importante, com a decoração adequada da superfície de platina (Pt), um aumento significativo da responsividade fotônica foi alcançado em mais de uma ordem de magnitude nas novas nanoarquiteturas Pt/AlGaN, demonstrando uma responsividade excepcionalmente alta de 45 mA/W e um tempo de resposta/recuperação recorde de 47/20 ms sem fonte de alimentação externa. Tal fotodetecção cíga ao sol de alta qualidade origina-se na qualidade de material incomparável, na cinética interfacial rápida, bem como na alta eficiência de separação de portadores, o que sugere que a adoção de nanostruturas semicondutoras de banda larga livres de defeitos com decoração de superfície apropriada oferece uma oportunidade sem precedentes para projetar sistemas optoeletrônicos eficientes em termos de energia e em larga escala em uma plataforma de silício.
Wang et al. (Ter,) estudaram essa questão.