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Extendemos la noción de sistemas memristivos a elementos capacitivos e inductivos, es decir, capacitores e inductores cuyas propiedades dependen del estado y la historia del sistema. Todos estos elementos típicamente muestran bucles histéricos comprimidos en las dos variables constitutivas que los definen: corriente-voltage para el memristor, carga-voltage para el memcapacitor, y corriente-flujo para el meminductor. Argumentamos que estos dispositivos son comunes a la nanoescala, donde las propiedades dinámicas de electrones e iones probablemente dependen de la historia del sistema, al menos dentro de ciertas escalas de tiempo. Estos elementos y su combinación en circuitos abren nuevas funcionalidades en la electrónica y es probable que encuentren aplicaciones en dispositivos neuromórficos para simular aprendizaje, comportamiento adaptativo y espontáneo.
Ventra et al. (Tue,) estudiaron esta cuestión.