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Die Struktur und elektronische Struktur von geschichteten Edelmetall-Übergangsmetall-Dichalkogeniden MX2 (M=Pt und Pd, und Chalcogenide X=S, Se und Te) wurden durch periodische Dichtefunktionaltheorie (DFT) Berechnungen untersucht. Die MS2-Monolayer sind indirekte Bandlücken-Halbleiter, während die MSe2- und MTe2-Analoga deutlich kleinere Bandlücken aufweisen und sogar halbleitend oder metallisch werden können. Unter mechanischer Beanspruchung werden diese MX2-Materialien zu quasi-direkten Bandlücken-Halbleitern. Die mechanischen Deformations- und Elektronentransporteigenschaften dieser Materialien deuten auf ihre potenzielle Anwendung in flexibler Nanoelektronik hin.
Miró et al. (Wed,) haben diese Frage untersucht.
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