激子光吸收强度

利用能带理论和有效质量近似研究了半导体接近边缘的光吸收强度。当禁带两侧的能带极值在相同的K点时，直接跃迁会产生线谱和不同形式与强度的连续吸收，具体取决于极值处能带状态之间的跃迁是否被允许。如果极值的K值不同，则会发生涉及声子的间接跃迁，导致每个激子能带的吸收与() ^1{2}成正比，而连续体的吸收与() ^2成正比。Cu₂O和Ge的实验结果与直接禁止跃迁和间接跃迁在定性上良好一致。