InAs/GaSb 이종구조에서 약한 비국소화에 의해 정량화된 스핀-궤도 상호작용

우리는 InAs/GaSb 및 InAs 양자 우물에서 스핀-궤도 상호작용(SOI)을 연구합니다. 온도 및 게이트 의존성 자기 수송 측정 결과 약한 비국소화를 통해, 우리의 저이동도 이종구조에서 지배적인 스핀-궤도 완화 메커니즘이 라슈바 또는 드레셀하우스 SOI 형태의 다야코노프-페렐이 아니라 엘리엇-야펫임을 보여줍니다. 우리는 우리의 발견을 이 물질 시스템에 대한 최근 연구와 비교하고 SOI 길이가 동일한 범위에 있음을 보여줍니다. SOI 길이는 정전기 게이트를 사용하여 조절할 수 있으며, 이는 스핀트로닉 응용 개발의 가능성을 열어줍니다.