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Los transistores orgánicos de efecto de campo (OFETs) fueron descritos por primera vez en 1987. Sus características han experimentado mejoras espectaculares en los últimos dos o tres años. Al mismo tiempo, se han desarrollado varios modelos para racionalizar su modo de operación. En esta revisión, examinamos el rendimiento de los OFETs según los datos publicados recientemente, principalmente en términos de movilidad de efecto de campo y razón de corriente on–off. Comparamos los diversos compuestos que se han utilizado como componente activo y describimos las técnicas de fabricación más destacadas. Finalmente, analizamos los mecanismos de transporte de carga en sólidos orgánicos y los modelos resultantes de los OFETs.
Gilles Horowitz (Sun,) estudió esta cuestión.