调厚度的 MoS2 纳米片光电晶体管的光学能量带隙

我们报告了基于几层 MoS(2) 纳米片和透明栅极电极的顶栅光电晶体管的制造。我们的三层 MoS(2) 设备在红光探测方面表现出色，而单层和双层设备在绿光探测方面相当有效。不同的功能性是由于 MoS(2) 层数的能量带隙调制。对工作中的光电晶体管进行光电探测显示，单层 MoS(2) 的能量带隙为 1.8 eV，而双层和三层 MoS(2) 分别降至 1.65 eV 和 1.35 eV。