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Photonische Kristallnanokavitäten, die gleichzeitig kleine modale Volumina und hohe Qualitätsfaktoren (Q) aufweisen, haben in diesem Jahrzehnt neuartige Forschungsbereiche in der Photonik eröffnet. Hier präsentieren wir einen wichtigen Schlüssel zur Erhöhung der Q-Faktoren auf Werte über zehn Millionen. Eine systematische Untersuchung der Photonendauern von Luftbrücken-Heterostruktur-Nanokavitäten, die aus Silizium auf Isolator (SOI)-Substraten gefertigt wurden, zeigte die Bedeutung der Reinigung der Unterseite (begrabenes Oxid) der Nanokavitäten. Wiederholte thermische Oxidation und ein Oxidentfernungsprozess nach der Entfernung der begrabenen Oxidschicht unter den Nanokavitäten führten zu einem experimentellen Q-Faktor von über elf Millionen, was der höchste jemals aufgezeichnete experimentelle Q-Faktor ist. Die Ergebnisse liefern wichtige Informationen nicht nur für Si-PC-Nanokavitäten, sondern auch für allgemeine Si-nanophotonische Geräte und Systeme der photonik-elektronischen Konvergenz.
Asano et al. (Mon,) haben diese Frage untersucht.
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