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근자외선(NUV) 발광 재료 및 장치는 방위산업, 제조업, 위생 치료 등 독특한 응용 분야로 인해 중요합니다. 그러나 고효율 NUV 전자발광 장치의 개발은 큰 도전에 직면해 있으며 RGB 방출 장치에 비해 많이 뒤처져 있습니다. NUV 재료의 광발광 양자 수율(PLQY)은 40% 이상이지만, 전하 주입 및 한쪽으로 치우친 캐리어 전송 또한 장치 성능에 영향을 미치며, 인접한 기능층에 맞게 최전선 분자 궤도를 최적화하는 데 많은 노력이 필요합니다. NUV 재료 탐색에서 유기 분자는 준비 용이성과 구조적 변동성 덕분에 주요 후보 중 하나입니다. 최근에는 Cd 기반, ZnSe, 그래핀 및 무기 페로브스카이트 발광체의 전량 무기 양자점 발광 다이오드(QLED)와 유기-무기 하이브리드 납 할라이드 페로브스카이트 나노결정(NCs)이 NUV 전자발광을 달성하기 위해 시연되었습니다. NUV 재료 공학 및 장치 구성에 대한 많은 노력 덕분에 NUV 재료 및 장치는 지난 20년 동안 큰 발전을 이루었습니다. 이 리뷰에서는 NUV 재료 및 장치의 발전을 모든 유망 시스템을 포괄하여 회고하며, 연구자들이 NUV 영역에서 잠재력을 탐색하도록 영감을 줄 수 있습니다.
Chen 외(금요일)가 이 질문을 연구했습니다.