Aktivierungsmodellierung von großkörnigen polykristallinen Silizium-Dünnschichttransistoren

Es werden großkörnige, mit Excimerlaser behandelte Polysilizium-TFTs untersucht. Aufgrund der großen Korngröße des Polysiliziumfilms (etwa 2,5 /spl mu/m) schlagen wir ein Modell für den On-Strom (oberhalb der Schwellenspannung) vor, das die Anzahl der Korngrenzen innerhalb des Kanals berücksichtigt. Dieses Modell für den linearen Bereich betrachtet Korn und Korngrenzen als zwei nicht korrelierte Regionen innerhalb des Kanals eines Polysilizium-TFTs. Die Fallendichte an den Korngrenzen und die Geräteeigenschaften, die in diesem Modell berücksichtigt werden, werden durch Anpassung der experimentellen Übertragungscharakteristik im linearen Bereich bestimmt. Darüber hinaus zeigen wir, dass das vorgeschlagene Modell zuverlässige Ergebnisse innerhalb eines Temperaturbereichs von 150 K bis 300 K liefert. Schließlich dient es zur Optimierung der Energiedichte der Laserbehandlung und um Vorhersagen über die Polysilizium-TFT-Technologie zu treffen, da Leistungsplots von TFTs in Abhängigkeit von der Korngröße erstellt werden können.