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Um die Bedenken hinsichtlich des Retentionsverlusts von HfO2-basierten ferroelectricen (FE) Geräten in vielseitigen Anwendungen zu adressieren, führen wir eine umfassende Charakterisierung im breiten Temperaturbereich (250–400 K) auf einem 9-nm Hf0.5Zr0.5O2 (HZO) Film durch. Es zeigt sich, dass die Retention durch die hohen Temperaturen und unvollständige Polarisation (schnelle Geschwindigkeit und niedrige Amplitude) beeinträchtigt wird. Der dominante Mechanismus wird als der Imprägneffekt angesehen, der aufgrund der Migration geladener Defekte zur Schnittstelle entlang des internen Feldes, das durch unvollständige Polarisation verursacht wird, auftritt. Durch die Auseinandersetzung mit den Feinheiten des Imprägeverhaltens und der unvollständigen Polarisation beleuchtet diese Arbeit wesentliche Aspekte des Retentionsverlusts in FE-HZO-Dünnfilmen.
Li et al. (Wed,) haben diese Frage untersucht.