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我们研究了从 0. 001--cm n型 Si 晶体解理 (111) 面表面态光发射出电子的能量分布。我们发现了一个 1. 8-eV 宽的表面能带,其在费米能级以下 1. 1 eV 处有一峰值,在 0. 5 eV 处有一肩峰,包含约 810^14 electrons/cm^2,即每个表面原子约含有一个电子。该强峰位于表面价带最大值下方。在暴露于 10^-10 Torr 的真空污染或氧气中时该结构消失,从而证实了其表面特性。
Wagner et al. (Mon,) 研究了这一问题。