Resonanztunneltransistor mit Quantentopf-Basis und Hochenergieinjektion: Ein neues Gerät mit negativer Diferentialleitfähigkeit

Wir schlagen ein neues Gerät mit negativer Leitfähigkeit vor, das aus einem Heterojunction-Bipolartransistor mit einem Quantentopf und einer symmetrischen Doppelbarriere oder einer Superraster in der Basisregion besteht. Der entscheidende Unterschied im Vergleich zu zuvor untersuchten Strukturen besteht darin, dass das resonante Tunneln durch Hochenergie-Minderheitenladungsinjektion in den Quantenzustand erreicht wird und nicht durch Anlegen eines elektrischen Feldes. Diese neuartige Geometrie bewahrt somit die entscheidende, strukturelle Symmetrie der Doppelbarriere, was eine einheitliche Übertragung an allen Resonanzspitzen sowie höhere Spitzen-zu-Tal-Verhältnisse und Ströme im Vergleich zu herkömmlichen resonanten Tunnelstrukturen ermöglicht. Sowohl Tunneln als auch ballistische Injektion in der Basis werden betrachtet. Diese neuen funktionalen Geräte haben ein erhebliches Potenzial für eine Vielzahl von Signalverarbeitung und mehrwertiger Logikanwendungen sowie für das Studium der Physik des Transports in Supergittern.