用于磁光器件的外延生长铋取代铁石榴石薄膜

描述了铋取代铁石榴石薄膜的生长条件和磁光特性。利用化学分析的放射性示踪技术测定了由 PbO,B 2 O 3 助熔剂生长的 TmBiFe-Ga 石榴石薄膜的化学组成。发现这些薄膜的品质因数（单位光衰减的法拉第旋转）在 560 nm 处的最大值为 2.5 deg/dB。退火实验表明，这些薄膜中掺入的铅对光吸收没有明显影响。使用 Bi 2 O 3 ,MeO 2（其中 Me = Si,Ce）助熔剂生长了铋取代铁石榴石薄膜。对于 (TmBiFeGa) 石榴石薄膜，在 560 nm 处获得的品质因数值为 3.5 deg/dB。在可见光区测量了在大晶格常数衬底上生长的 (YBiFeGa) 8 O 12 薄膜的法拉第旋转和光吸收。在 560 nm 处的品质因数测得为 4.7 deg/dB。