TiO 2 在 CIGS 太阳能电池中的新应用：Se 扩散障碍与界面改性

在 Mo/CIGS 界面引入 TiO 2 扩散障碍以控制 MoSe 2 的形成。TiO 2 层显示出优异的 Se 阻挡性能，在仅 40 nm 的厚度下有效抑制 Se 扩散，同时对硒化反应免疫。然而，TiO 2 与 CIGS 之间显著的能带不匹配对载流子收集效率产生了负面影响，并降低了器件性能。为了解决这一局限性，在 TiO 2 上沉积了一层额外的牺牲 Mo 层，以形成 TiO 2/MoSe 2 中间双层，从而促进背面界面的适当能带对齐。此外，Cu 在 TiO 2 中的固溶度降低了吸收层中的 Cu 含量，产生额外的 V Cu 缺陷，增强了载流子浓度和内建电场强度，从而抑制了前界面的复合。因此，实施厚度优化的 TiO 2/MoSe 2 中间双层显著减轻了载流子复合，改善了器件性能。