Photovoltage at the metal—CdS Schottky contact

Photovoltages at a metal—CdS Schottky contact occur at photon energies that are smaller than the CdS band gap. They may be due either to photoemission of electrons from the metal into the CdS or to hole generation in the CdS. The first mechanism is shown to occur in conducting CdS. From its observation values for the attenuation length of the photoexcited electrons in Au are derived as a function of photon energy. The second mechanism is shown to occur in insulating CdS. At intermediate conductivities of the CdS photoemission is found for small photon energies, while minority carrier generation in the CdS is responsible for the generation of a photo-e.m.f. at somewhat higher photon energies. Photospannungen an einem Metall—CdS-Schottky-Kontakt entstehen bei Belichtung auch mit Photonen, deren Energie kleiner ist als der Bandabstand des CdS. Diese Photospannungen beruhen entweder auf Photoemission von Elektronen aus dem Metall in das CdS oder auf Löchererzeugung im CdS. Bei CdS hoher Leitfähigkeit tritt der erstgenannte Mechanismus auf. Aus seiner Beobachtung werden Werte für die Reichweite der optisch erzeugten Elektronen in Au als Funktion der Photonenergie gewonnen. Der zweitgenannte Mechanismus tritt in isolierendem CdS auf. Im Zwischengebiet der Leitfähigkeit des CdS wird für kleine Photonenenergien Photoemission beobachtet, während die Erzeugung von Minoritätsträgern im CdS bei größeren Photonenenergien die Photospannung verursacht.