我们展示了一种在超高密度大规模神经形态系统中将相变存储器(PCM)用作突触的高能效独特方法。我们对采用不同硫族化物材料的PCM器件进行了表征以展示突触行为。利用多物理场仿真对结果进行了解释。我们提出了适用于神经网络中PCM应用的特殊电路架构(“2-PCM突触”),以及读、写和复位编程方案。引入了可用于模拟大规模神经系统的通用PCM行为模型。首次展示了在2层脉冲神经网络(SNN)中利用PCM突触从真实世界数据中提取复杂视觉模式。此外,还提供了针对不同微缩尺寸PCM技术的系统功耗分析。
Suri et al. (Thu,) 研究了这一问题。