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DRAM 셀은 커패시터에 전하 형태로 데이터를 저장합니다. 이 전하는 시간이 지남에 따라 누출되어 결국 데이터가 손실됩니다. 이러한 데이터 손실이 발생하지 않도록 하려면 DRAM 셀을 주기적으로 새로 고쳐야 합니다. 불행히도, DRAM 새로 고침 작업은 에너지를 낭비하고 메모리 요청에 간섭하여 시스템 성능을 저하시킵니다. 이러한 문제는 DRAM 밀도가 증가함에 따라 심화될 것으로 예상됩니다.
Liu et al. (Sun,)은 이 질문을 연구했습니다.