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化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)技术因其能够获得超光滑表面以及兼顾局部和全局平坦化的优异能力,广泛应用于光学元件加工和半导体制造等领域。聚氨酯抛光垫是CMP过程中最重要的耗材,其作用体现在将抛光液输送到工件表面,并为材料去除过程提供必要的机械载荷,对CMP工艺的表面质量、材料去除率和材料去除分布等关键性能产生显著影响。因此,聚氨酯抛光垫特性对CMP性能的影响一直是CMP领域研究的重点和热点,且已积累很多研究成果。文中从微观结构特征、宏观结构特征和力学特性三个方面综述了抛光垫特性对CMP性能影响的研究成果,分析了相关机理研究和建模方法的最新进展,探讨了当前面临的主要问题与挑战,并展望未来可能的发展方向。
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Changyu et al. (2025) studied this question.
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