Ringresonator-basierte weit einstellbare Laser mit schmaler Linienbreite aus Si/InP

Dieses Papier präsentiert aktuelle Ergebnisse zu weit einstellbaren Laser mit schmaler Linienbreite auf Basis von Halbleitern, die einen ringresonatorbasierten Spiegel als erweiterte Kavität verwenden. Es werden zwei Generationen von Lasern auf der heterogenen Si/InP-photonischen Plattform vorgestellt. Die Laser der ersten Generation, mit einem Gesamtfläche von weniger als 0,81 mm², zeigten eine intrinsische Linienbreite von ~2 kHz über einen Wellenlängenanpassungsbereich von 40 nm im C+L-Bereich. Die Laser der zweiten Generation mit extrem verlustarmen Siliziumwellenleitern und einem neuartigen Kavitätsdesign erreichten eine intrinsische Linienbreite von unter 220 Hz. Die Laser weisen zudem einen ultrabreiten Wellenlängenanpassungsbereich von 110 nm über drei optische Kommunikationsbänder (S+C+L) auf. Diese stellen Rekorde unter allen vollständig integrierten Halbleiterlasern dar, die in der Literatur berichtet wurden.