TiN पतली परतों की ऑक्सीकरण काइनेटिक्स

हमने TiN पतली परतों की ऑक्सीकरण काइनेटिक्स का अध्ययन सूखे O2 में किया है ताकि TiN को गेट इलेक्ट्रोड्स और बड़े पैमाने पर इंटीग्रेटेड सर्किट में इंटरकनेक्शन के लिए सामग्री के रूप में संभावित उपयोग के रूप में देखा जा सके। हमने पाया कि 500 से 650 °C के तापमान रेंज में ऑक्सीकरण थर्मल रूप से सक्रिय है जिसमें सक्रियण ऊर्जा 2.05±0.05 eV है। इस प्रकार ऑक्साइड के माध्यम से ऑक्सीजन का प्रसार दर-सीमित प्रक्रिया है। एक्स-रे के साथ विश्लेषण से स्पष्ट होता है कि सूखा ऑक्सीकरण TiN को TiO2 के रूटाइल रूप में परिवर्तित करता है। ऐसी स्थिति में बने TiO2 की फिल्में अर्ध-इंसुलेटिंग पाई जाती हैं जिनकी प्रतिरोधकता 106 Ω cm के क्रम में होती है और उच्च उपयोग किए गए इलेक्ट्रिक क्षेत्रों में स्थान-चार्ज-सीमित धाराओं का इंजेक्शन देखा जाता है।