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Die Übereinstimmungseigenschaften der Schwellenspannung, des Substratfaktors und des Stromfaktors von MOS-Transistoren wurden analysiert und gemessen. Verbesserungen der bestehenden Theorie werden vorgestellt, ebenso wie Erweiterungen für Langstreckenanpassung und Drehung von Geräten. Die Übereinstimmungsergebnisse wurden durch Messungen und Berechnungen an einem Bandgap-Referenzschaltkreis verifiziert.
Pelgrom et al. (Thu,) haben diese Frage untersucht.
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