电化学蚀刻制备的 SrVO3 超薄膜在金属-绝缘体转变附近的输运特性

通过使用电化学蚀刻，我们制备了导电超薄 SrVO₃ (SVO) 薄膜，该薄膜在低至 3 个单分子层 (ML) 时仍表现出金属行为。根据观察到的输运特性随薄膜厚度减小而发生的系统性变化，发现薄膜中的无序度在蚀刻过程中几乎保持不变，仅厚度有所减小。这与沉积态 SVO 超薄膜所呈现的绝缘行为形成鲜明对比。对于蚀刻薄膜，在厚度低于 10 ML 时，200 K 下的电子迁移率随薄膜厚度减小而降低，这源于金属-绝缘体转变附近散射率和电子有效质量的增加。对于低至 3 ML 的蚀刻薄膜，通常在低温下观察到电阻率略有回升以及正磁阻，这可以通过弱无序金属中电子的弱反局域化来解释。