Analysis of evaporated silicon oxide films by means of (d, p) nuclear reactions and infrared spectrophotometry

An analysis was made of SiOx thin films evaporated either by electronic bombardment (SiOB) or by Joule effect (SiOJ). Stoichiometry was studied by nuclear microanalysis and bondings by infrared spectrophotometry. It is found that SiOB, which never involves a negative resistance phenomenon in MSiOBM sandwiches, is a “SiO” stable pseudo-phase. But SiOJ should be a mixture of a SiO2 phase and “SiO” and “Si2O3” pseudo-phases; in this case the N.D.R. phenomena are related to this “Si2O3” pseudo-phase. On a analysé la composition de couches minces SiOx évaporées par bombardement électronique (SiOB) ou par effet Joule (SiOJ). La stoechiométrie a été étudiée par micro-analyse nucléaire et les liaisons par spectrophotométrie infra-rouge. On a ainsi mis en évidence que SiOB. qui ne donne pas de phénomène de résistance négative dans les échan-tillons MSiOBM est formé de la pseudo-phase stable “SiO”. Par contre SiOJ serait constitué par un mélange de la phase SiO2 et des pseudo-phases “SiO” et “Si2O3”. On en conclut que le phénomène de R.D.N doit ètre relié à l'existence de cette pseudo-phase “Si2O3”.