などが開発されている。このような半導体パッ ケージ基板ではより高密度な回路形成が必要となるが，そこ で必要な微細配線形成，小径ビア充填，表面電極形成などは 図 1 に示すようなめっきに代表される表面処理の進化により 支えられている。本稿では，その中でも電極表面処理開発の 変遷と電極の小径微細化について検討した内容について紹介 する。 2 ．半導体パッケージ基板の最終表面処理 2．1 最終表面処理の役割と層構成 半導体パッケージ基板 (以下基板と略す) と半導体チップの 接続は，ワイヤーボンドやはんだにより接続されているが， 接続端子の高密度が求められるようなデバイスでは，より狭 ピッチ実装が可能なはんだを接合材料として用いることが一 般的である。このはんだ接合を行うにあたり，電極表面が酸 化していると接合性を著しく低下させることから，基板の表 面処理としては配線材料に用いる Cu 表面を酸化しにくい金 属で被覆することが必要となり，一般的には化学的に安定な Au が用いられている。その被覆性は Au 膜厚が厚い方がよ り効果的であるが，Au は非常に高価な金属であるため被覆 性を重視するとコスト高となってしまう。そこで現在では Ni を Cu 表面拡散のバリアメタルとして間に挟むことで Au の厚さを 50 nm 程度の薄さにする構造が主流となっている。 この Ni/Au 構造は当初は電解めっきで行うことが主流で
IMAFUJI et al. (Mon,) studied this question.