Selbstkonsistente elektronische Struktur von (110) Ge-ZnSe

Selbstkonsistente Pseudopotentialberechnungen der elektronischen Struktur der (110) Ge-ZnSe-Oberfläche (IF) deuten auf eine Dichte lokalisierter IF-Zustände hin, die experimentell nachweisbar sein könnte. Das vollständige Spektrum wird präsentiert und der Charakter der IF-Zustände wird diskutiert. Bewertungen der Bindungs- ladungen zeigen wenig Ladungsübertragung parallel zur IF. Eine vorgeschlagene Relaxation der Atome an der IF wird ebenfalls vorgestellt. Die detaillierte elektronische Struktur von Ge-ZnSe ist nicht einfach eine Erweiterung der von Fe-GaAs.