重新排列的砷和镓原子在GaAs(110)上的表面键角和键长

我们通过将实验的低能电子衍射（LEED）数据与结合空间方法计算的曲线进行比较，确定了GaAs（110）的表面结构。我们发现理论与实验之间的最佳吻合体现在一种结构中，其中砷原子向外倾斜，镓原子向内倾斜，旋转角度为27度，镓与第二层之间的间距为1.452。在该结构中，砷的背键收缩约5%。这些发现与以往的LEED结果和表面带结构计算进行了比较。