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我们对长沟道双极碳纳米管场效应晶体管的红外发光进行了空间分辨。电子和空穴从相反的接触端注入到单个纳米管分子中。电子和空穴电流重叠的双极区在碳纳米管内形成了微观发光体。我们可以通过改变栅极和漏极电压来控制其位置。在高电场下,由于缺陷辅助的 Zener 隧穿或碰撞电离,会出现额外的静止光斑。这种横向分辨测量为晶体管行为提供了宝贵的见解,是对电子器件特性的补充。
Freitag et al. (Sun,) 对该问题进行了研究。
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