非晶 IGZO 基晶体管的研究进展：材料、工艺与器件

含有过渡金属的非晶氧化物半导体 (AOS) 因其诸多技术优势而备受关注，被视为传统半导体的极具前景的替代品，这些优势包括低温大面积沉积、在机械形变下保持性能的能力以及即使在非晶态下也具有较高的载流子迁移率。本综述分析了 AOS 中代表性材料铟镓锌氧化物 (IGZO) 的结晶度、沉积条件和电学性能，并探讨了这些因素如何影响非晶 IGZO (a-IGZO) 晶体管的性能。此外，还总结了这些器件的可靠性和性能退化机制及其结构特征。对显示器、传感器以及存储器/逻辑器件领域的最新应用趋势进行了分类和分析。最后，本综述指出了当前仍存在的技术挑战，并探讨了推动 a-IGZO 晶体管在新型电子应用中更广泛应用的有前景的研究方向。