在疏水性基底上的石墨烯：在环境条件下的掺杂降低和滞后抑制

通过机械剥离和标准光刻工艺在热氧化硅上制备的石墨烯的内在掺杂水平差异显著，并且似乎强烈依赖于加工细节和基底形态。此外，这种石墨烯器件的传输特性在环境条件下会受到滞后行为的影响。滞后现象可能来源于基底或石墨烯表面上的偶极吸附物。在这里，我们证明通过将石墨烯沉积在一层薄的疏水性自组装六甲基二硅氮烷（HMDS）上，可以可靠地获得低内在掺杂水平并显著抑制滞后行为，即使在环境空气中也是如此。HMDS作为可重复的模板，防止了偶极物质的吸附。它还可能屏蔽基底缺陷的影响。