Key points are not available for this paper at this time.
Un processus a été développé pour fabriquer en série des transistors à plombs en faisceau, des circuits intégrés et d'autres composants, où les plombs ont une fonction structurelle et protectrice ainsi qu'électrique. Les contacts ohmiques en siliciure de platine, les couches de titane et de platine pulvérisées, et les plombs en or électroformés constituent la structure métallurgique des dispositifs décrits. Des transistors d'essai ont survécu à un vieillissement à 350 °C pendant des centaines d'heures dans des ambiances corrosives, et à une centrifugation à 135 000 g.
M.P. Lepselter (mar) a étudié cette question.
Synapse has enriched 3 closely related papers on similar clinical questions. Consider them for comparative context: