通过 C-V 剖析测量同型异质结势垒

C-V 剖析中发生的德拜长度涂抹效应，妨碍了利用相邻肖特基势垒的 C-V 剖析来测量同型异质结势垒处的能带不连续性大小。然而观察发现，在这一过程中，载流子数量及其分布矩均保持守恒。这一信息使得提取导带不连续值 ΔEc 以及任何界面电荷密度的数值成为可能。本文描述了该技术以及针对 LPE 生长的 n-N GaAs-Al0.3Ga0.7As 异质结的实验结果。我们发现 ΔEc =0.248 eV，对应于约 0.66ΔEg，而非 Dingle 普遍接受的 0.85ΔEg。该差异归因于 LPE 生长过程中的成分渐变。