Deep Electron Trapping Centers in Si-Doped InAlAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

The properties are investigated of the main deep electron trapping center found in Si-doped In0.52Al0.48As grown on Sn-doped InP substrates using molecular beam epitaxy. Thermal activation energy and photoionization energy of this center are determined to be 0.54 and 0.95 eV, respectively. A correlation between trap concentration and Si doping concentration, the existence of weak persistent photoconductivity, and a small capture barrier height (far less than 0.1 eV) are revealed. These results suggest that this center can be regarded as a kind of DX center, which should be depicted as a state with large lattice relaxation using a configuration coordinate diagram. Es werden die Eigenschaften des in Si-dotiertem In0.52Al0.48As vorwiegend gefundenen tiefen Elektronenhaftzentrums untersucht, wobei die Proben mittels Molekularstrahlepitaxie auf Sndotierten InP-Substraten hergestellt werden. Thermische Aktivierungsenergie und Photoionisationsenergie dieses Zentrums werden zu 0,54 bzw. 0,95 eV bestimmt. Eine Korrelation zwischen Haftstellenkonzentration und Si-Dotierungskonzentration, die Existenz von schwacher, persistenter Photoleitung und eine geringe Einfangbarrierenhöe (weit unter 0,1 eV) werden gefunden. Diese Ergebnisse weisen darauf hin, daß dieses Zentrum als eine Art von DX-Zentrum angesehen werden kann, das als Zustand mit großer Gitterrelaxation mit einem Konfigurationskoordinatendiagramm beschrieben werden kann.