WO3 中的本征缺陷与 H 掺杂

摘要 WO 3 被广泛用作工业催化剂。本征和/或外在缺陷可以调控其电子特性，并将应用扩展至气体传感器和光电子器件。然而，H 掺杂对 WO 3 而言是一项挑战，相关机制几乎未被理解。在此背景下，我们通过密度泛函理论和实验研究了本征缺陷与 H 掺杂。通过计算形成能以确定最低能量缺陷态。结果表明，O 空位在贫 O 环境中表现出稳定性，这与 X-ray photoelectron spectroscopy 分析一致，且预测了 H 间隙缺陷的 O-H 键形成并通过 Fourier transform infrared spectroscopy 予以证实。