半导体中核心激子的动态转变与展宽

提出了一种非厄米特特征值方程，以确定半导体中核心激子的结合能和宽度，考虑到通过介电基质 ^-1 (r, {r}^';) 的屏蔽效应的时间依赖性。静态屏蔽的偏差导致结合能的增加和Auger宽度的缩小。对于Si 2p跃迁，这两种效应的数值估计与实验数据在激子尺寸因能带结构效应而减小时具有定性一致性。