用于物联网（IoT）的柔性溶液法氧化铟（In2O3）薄膜晶体管（TFT）及电路

在过去十年中，科学界对探索低电压柔性器件和低功耗柔性电路的新方法进行了广泛研究。为了发挥节能型物联网（IoT）物品的真正潜力，低功耗电路及其低工作电压器件是至关重要的先决条件，特别是当其电能受制于自主能量收集时。目前，通过先进的制造工艺，硅基半导体器件正为现代电子工业提供动力。然而，加工温度限制了其在柔性及印刷电子领域的应用，且对于预计将达数万亿个IoT物品的规模化扩展而言成本过高。因此，溶液法金属氧化物半导体的开发为IoT和可穿戴设备带来了巨大的机遇。在此，本文报道了具有低工作电压的柔性溶液法氧化铟（In2O3）薄膜晶体管（TFT）和反相器电路。TFT的工作电压 ≤ 3 V，阈值电压（Vth）为 0.82 V，开关比为 105，在饱和区提取的迁移率（μ）为 14.5 cm2/V·s。在VDD分别为 1、2 和 3 V 时，反相器的增益分别确定为 10、22 和 32。此外，测得的跨导（gm）和亚阈值摆幅（S）分别为 140 μS 和 0.22 V/dec。