摘要 半局部密度泛函如Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) 泛函在很大程度上低估了实验带隙。混合泛函通过将部分福克交换混入半局部交换来解决这一带隙问题。最佳混合参数取决于特定材料,可以被识别为逆介电常数(介电相关混合泛函,DDH)。在这里,我们显示使用r2SCAN元GGA泛函获得的介电常数比使用半局部PBE泛函获得的介电常数显著更准确。我们提出了DD-r2SCANH泛函,这是一种基于r2SCAN的介电相关混合泛函。DD-r2SCANH在预测带隙和其他电子结构性质方面能够超越标准的基于PBE的DDH。特别是在窄带隙半导体如Ge和InAs中,取得了显著的改进,在这些材料中,PBE错误预测成金属相,而r2SCAN则打开了带隙。
Riemelmoser et al. (Sat,) 研究了这个问题。
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