MOS和低剂量率敏感线性双极器件中的总电离剂量效应

本文从历史的角度概述了MOS和双极器件中总电离剂量（TID）效应，主要关注在IEEE核与空间辐射效应年度会议（NSREC）上提出的工作。从1964年IEEE NSREC的创立到1976年，基础工作导致了在MOS器件中发现TID效应、对SiO₂中基本电荷运输和陷阱过程的表征，以及第一代金属栅辐射硬化MOS技术的发展。从1977年到1985年，在理解限制MOS器件辐射响应的关键缺陷和杂质方面取得了重大进展。这些缺陷包括SiO₂中的氧空位、Si/SiO₂界面上的悬挂Si键和氢。此外，还开发了辐射硬化的Si栅CMOS技术。从1986年到1997年，主要集中在理解MOS器件中的后辐射效应，并实施硬度保证测试方法以使设备适用于太空系统。在线性双极器件和集成电路中发现并研究了增强低剂量率敏感性（ELDRS）。从1998年至今，越来越多的关注放在了通过快速发展的计算能力所取得的理论研究、建模和仿真、超薄氧化物和替代介电质对SiO₂的影响，以及开发ELDRS的综合模型上。