用于选择性可见光驱动光催化 NO 氧化的单层外延异质结

摘要：通过化学键堆叠二维（2D）层状材料来构建垂直异质结，是探索先进太阳能转换系统的一种有效策略。然而，基于传统氧化物基化合物构建此类异质结仍是一项巨大挑战，因为它们要么不具备 2D 层状结构，要么由于晶格失配较大而不适于外延生长。在此，报道了一种通过异质外延阴离子交换法制备的卤氧化铋半导体垂直异质结。单层 Bi 2 WO 6 外延生长在 BiOI 的暴露表面上，以抑制光腐蚀并引入活性位点。理论和实验结果表明，可见光照射下产生的电子可以直接转移到表面配位不饱和（CUS）Bi 原子，从而有助于反应物分子的吸附和活化。因此，与 BiOI 和 Bi 2 WO 6 相比，Bi 2 WO 6 /BiOI 垂直异质结表现出显著增强的可见光驱动 NO 氧化活性。